書誌事項
- タイトル別名
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- <招待論文>リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN HEMTの諸特性
- ショウタイ ロンブン リセスゲート オ モチイタ サファイア キバン ジョウ ノ AlGaN GaN HEMT ノ ショ トクセイ
- リセスゲート オモチイタ サファイア キバンジョウ ノ AlGaN/GaN HEMT ノ ショトクセイ
- Characteristics of Recessed Gate AlGaN/GaN HEMTs on Sapphire Substrate
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抄録
サファイア基板上に有機金属気相成長(MOCVD)法を用いてAlGaN/GaNヘテロ構造を成長し，更にリセスゲートプロセスを用いてAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製した．50K以下の低温にてシートキャリヤ密度が一定になる2次元電子ガス特有の特性が観察された．8.9Kにおいて移動度は12000cm2/Vs，シートキャリヤ密度は2.8×1012cm-2であった．このような高品質の薄膜に変調ドープを行い，リアクティブイオンエッチング(RIE)によるリセスゲートプロセスを用いて作製したゲート長 2.1μmのAlGaN/GaN HEMTは，25°Cにて相互コンダクタンス146mS/mm，ドレーン電流900mA/mmの良好な特性が得られた．350°Cでは，相互コンダクタンスが62mS/mmと低下したが，良好なピンチオフ特性及び飽和特性を示した．また，25°C及び350°Cでのしきい値電圧の変化は0.3Vと非常に小さく，AC動作時での顕著な電流コラプスは観測されなかった．
収録刊行物
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- 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス
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電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス J83-C (4), 253-260, 2000-04-20
Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1050282812469021696
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- NII論文ID
- 110003181495
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- NII書誌ID
- AA11412446
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- ISSN
- 13452827
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- NDL書誌ID
- 5382245
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- 本文言語コード
- ja
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- 資料種別
- journal article
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- データソース種別
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- IRDB
- NDL
- CiNii Articles