Ge(100)表面の極薄TiO_xキャッピングによるHfO_2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
書誌事項
- タイトル別名
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- Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御
- Ge 100 ヒョウメン ノ ゴクウス TiOx キャッピング ニ ヨル HfO2 ゲンシソウ タイセキ ネツ ショリジ ノ カイメン ハンノウ セイギョ
- Control of Interfacial Reactions in HfO_2 Atomic-Layer-Deposition on Ge(100) and Post-deposition Anneal with Ultrathin TiO_x Capping on Ge(100)
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説明
High-k/Ge界面制御手法として、極薄TiO_2層の挿入に着目し、塩酸処理したGe(100)表面上へのTiO_2の原子層制御CVDを検討した。さらに、誘電率低下の要因となるGe界面酸化層の形成の抑制を目指し、TEMAT錯体の飽和吸着と熱分解の繰り返しにより極薄低酸化TiO_x(x<2)層をGe(100)基板上に形成後、HfO_2層を原子層制御堆積した。熱処理前後でX線光電子分光法(XPS)を用いて界面反応を評価した結果、厚さ〜2nm以上のTiO_x挿入によりHfO_2膜中への顕著なGe原子の拡散を抑制可能であることを明らかとした。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111 (114), 47-50, 2011-06-27
一般社団法人電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1050282813781396224
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- NII論文ID
- 110008800854
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- HANDLE
- 2237/23580
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- NDL書誌ID
- 11200109
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- ISSN
- 09135685
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- 本文言語コード
- ja
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- 資料種別
- journal article
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- データソース種別
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- IRDB
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