リング型発振器の経年劣化と特性ばらつきの相関の評価

情報処理学会

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タイトル別名
  • Evaluation of Correlation between BTI-Induced Degradation and Process Variation on Ring Oscillator

抄録

BTI(Bias Temperature Instability) による経年劣化現象と特性ばらつきの相関について，65nm バルクプロセス試作チップの測定データを元に評価する．最先端微細プロセスにおいて BTI と特性ばらつきの影響は深刻化しているため，これらの信頼性問題による回路動作の劣化を予測する手法が必要である．本稿では発振回路の周波数の初期値及び時間変化を測定することにより，デバイスの特性に基づいた劣化予測をモデル化する．その結果，特性ばらつきによって初期周波数が低くなったリング型発振器における BTI による経年劣化現象の影響が小さくなるという相関が明らかになった．

We evaluate the correlation between BTI-induced degradations and process variations by measuring the frequencies of ring oscillators (ROs) on our test chips in a 65nm bulk process. Impacts of BTI-induced degradations and process variations become significant issues on the highly scaled process. The prediction model for those reliability issues is indispensable. In this study, we predict the circuit performance degradations by measuring the initial frequencies and their degradations. We found that the effects of BTI-induced degradations on the ROs of the slow condition are smaller than that of the fast and typical conditions.

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  • CRID
    1050292572137212160
  • NII論文ID
    170000084766
  • Web Site
    http://id.nii.ac.jp/1001/00102728/
  • 本文言語コード
    ja
  • 資料種別
    conference paper
  • データソース種別
    • IRDB
    • CiNii Articles

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