書誌事項
- タイトル別名
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- 携帯情報端末におけるノーマリーオフコンピューティング : STT-MRAMで実現するノーマリーオフメモリ技術
- ケイタイ ジョウホウ タンマツ ニ オケル ノーマリーオフコンピューティング : STT-MRAM デ ジツゲン スル ノーマリーオフメモリ ギジュツ
- Normally-Off Computing: 3. Normally-off Computing for Smart Mobile Devices
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抄録
携帯情報端末の電子部品の中で,今後最も消費電力が増えるリスクのあるものがプロセッサである.電力制御技術が進展するにつれて,そのプロセッサの消費電力のうち,キャッシュメモリの待機電力が占める割合が増える.これを削減するためにSTT-MRAMをメモリに導入する方針について解説した.通常STT-MRAMを実装すると,消費電力増大の弊害のみを招いてしまう.そこで,L2キャッシュまたはラストレベルキャッシュに,ノーマリオフ型のSTT-MRAMメモリ回路を使うことを考案した.これにより,アプリケーション動作中の短時間待機時の電力をほぼ0することができ,プロセッサの消費電力を大幅に削減することが可能となることが分かった.
収録刊行物
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- 情報処理
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情報処理 54 (7), 668-676, 2013-06-15
東京 : 情報処理学会 ; 1960-
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1050564287856623872
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- NII論文ID
- 110009579885
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- NII書誌ID
- AN00116625
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- ISSN
- 04478053
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- NDL書誌ID
- 024699867
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- 本文言語コード
- ja
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- 資料種別
- departmental bulletin paper
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- データソース種別
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- NDL
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