LaFeAsO0.5D0.5の第二反強磁性母相におけるギャップレス磁気励起

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  • Gapless magnetic excitation in a heavily electron-doped antiferromagnetic phase of LaFeAsO0.5D0.5
  • Gapless magnetic excitation in a heavily electron-doped antiferromagnetic phase of <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi>LaFeAsO</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>0.5</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">D</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>0.5</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>

抄録

中性子非弾性散乱実験によりLaFeAsO$_{0.5}$D$_{0.5}$の第二反強磁性母相におけるギャップレス磁気励起の研究を行った。実験の結果、他の鉄系超伝導の母物質とは異なり、LaFeAsO$_{0.5}$D$_{0.5}$では磁気励起ギャップが4Kもの非常に低い温度においてもなお観測されないことを見出した。このギャップレス励起はab面内の擬等方性に起因するものと理解され、バンド計算による先行研究の結果と一致する。さらに、この相での磁気励起強度はノンドープのLaFeAsOに比べてはるかに強いこと、及び、常磁性相においてもなおLaFeAsO$_{0.5}$D$_{0.5}$の磁気励起が存在することを見出した本研究の実験結果は、本系において電子ドープが局在性を増強すると主張する最近の研究結果を強く支持する。

収録刊行物

  • Physical Review B

    Physical Review B 98 (17), 174415_1-174415_6, 2018-11

    American Physical Society (APS)

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