リードソロモン符号に基づいたマルチレベルセル不揮発性メモリ書き込み削減
抄録
近年 IoT デバイスの普及に伴いノーマリーオフ可能な不揮発性メモリの需要が高まっている．特に 1 個のメモリセルに複数の状態を割り当てるマルチレベルセル不揮発性メモリが主流である．マルチレベルセル不揮発性メモリは書き込み耐久性が低いという問題がある．この問題を解決するため誤り訂正符号に基づくメモリ冗長化を考える．情報をメモリセルをに書き込むとき，冗長化されているため書き込み方のパターンが多くなる．書き込み内容に加えて書き込み位置を情報とみなせるため，少ない書き換えメモリセルでも多くの情報を保存できる．リードソロモン符号に基づきメモリセルの状態を書き換え，書き換えるメモリセルの個数を削減し書き込み耐久性を向上させる．
収録刊行物
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- DAシンポジウム2016論文集
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DAシンポジウム2016論文集 2016 (31), 163-168, 2016-09-07
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1050574047106963968
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- NII論文ID
- 170000173443
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- Web Site
- http://id.nii.ac.jp/1001/00174513/
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- 本文言語コード
- ja
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- 資料種別
- conference paper
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- データソース種別
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- IRDB
- CiNii Articles