走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析

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タイトル別名
  • ソウサガタ プローブ ケンビキョウ オ モチイタ カーボンナノチューブ ハクマク トランジスタ ノ ヒョウカ カイセキ
  • Characterization of carbon nanotube thin-film transistors by scanning probe microscopy

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説明

プラズマCVD法を用いて作製したカーボンナノチューブ(CNT)薄膜トランジスタの電気伝導特性を走査型プローブ顕微鏡により解析した。その結果、サブスレッショルド領域ではチャネルが島状構造を形成し、ON状態ではその島構造が緩和する結果が得られた。この結果は、半導体CNTの抵抗がゲートバイアスにより変化し電気伝導に関与するCNTの本数が変化するためだと考えられる。またモンテカルロシミュレーションを行ったところ実験結果に対応する結果が得られた。なお、欠陥を含む金属CNTの電気伝導への影響やサブスレッショルド領域でのドレイン電流のばらつきに関しても述べる。

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