飽和溶融帯移動法により均一組成SiGeバルク結晶成長

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Bibliographic Information

Title
"飽和溶融帯移動法により均一組成SiGeバルク結晶成長"
Statement of Responsibility
代表研究者 足立聡
Publisher
  • [足立聡]
Publication Year
  • 2005.3
Book size
30cm
Other Title
  • ホウワ ヨウユウタイ イドウホウ ニヨリ キンイツ ソセイ SiGe バルク ケッショウ セイチョウ

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Notes

平成15年度〜平成16年度科学研究費補助金 (基盤研究(C)(2))研究成果報告書

研究課題番号15560015

研究分担者: 木下恭一ほか

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1130000795541811712
  • NII Book ID
    BA72365687
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    ja
  • Place of Publication
    • [相模原]
  • Data Source
    • CiNii Books
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