レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーSi MOS FETsに関する研究

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Bibliographic Information

Title
"レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーSi MOS FETsに関する研究"
Statement of Responsibility
陳訳著
Publisher
  • 琉球大学大学院理工学研究科
Publication Year
  • 2016.9
Book size
30cm
Other Title
  • レーザーアニール ニ ヨル セツゴウ ケイセイ ト コウセイノウ パワー Si MOS FETs ニ カンルス ケンキュウ
  • Research on Junction formation using laser annealing for high performance Si power MOS FETs

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生産エネルギー工学専攻

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1130000796121488640
  • NII Book ID
    BB24638720
  • Text Lang
    ja
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    ja
  • Place of Publication
    • [西原町(沖縄県)]
  • Classification
  • Data Source
    • CiNii Books
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