PLE(位相制御エピタキシー)法を用いたInGaAs系歪み量子井戸レーザの開発
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Bibliographic Information
- Title
- "PLE(位相制御エピタキシー)法を用いたInGaAs系歪み量子井戸レーザの開発"
- Statement of Responsibility
- 研究代表者 芳井熊安
- Publisher
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- 大阪大学工学部
- Publication Year
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- 1993.4
- Book size
- 30 cm
- Other Title
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- PLE イソウ セイギョ エピタキシー ホウ ヲ モチイタ InGaAs ケイ ユガミ リョウシ イド レーザ ノ カイハツ
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Notes
[課題番号]: 03452258
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1130000797710322304
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- NII Book ID
- BB23399679
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- Text Lang
- ja
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- Country Code
- ja
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- Title Language Code
- ja
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- Place of Publication
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- [吹田]
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- Data Source
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- CiNii Books