抵抗変化メモリの知的材料設計
Bibliographic Information
- Title
- "抵抗変化メモリの知的材料設計"
- Statement of Responsibility
- 笠井秀明, 岸浩史著
- Publisher
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- 大阪大学出版会
- Publication Year
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- 2012.9
- Book size
- 21cm
- Other Title
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- テイコウ ヘンカ メモリ ノ チテキ ザイリョウ セッケイ
- Computational materials design, case study II
- Intelligent/directed materials design for resistance random access memory
- CMD II
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Notes
参考文献あり
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1130282272163577344
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- NII Book ID
- BB10165154
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- ISBN
- 9784872592559
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- Text Lang
- ja
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- Country Code
- ja
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- Title Language Code
- ja
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- Place of Publication
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- 吹田
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- Classification
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- NDC9: 548.232
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- Subject
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- NDLSH: 半導体記憶装置
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- Data Source
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- CiNii Books