シングルイベント耐性を向上したパワーMOSFETの開発検討
CiNii
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Bibliographic Information
- Title
- "シングルイベント耐性を向上したパワーMOSFETの開発検討"
- Statement of Responsibility
- 宇宙開発事業団編
- Publisher
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- 宇宙開発事業団
- Publication Year
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- 2001.12
- Book size
- 30cm
- Other Title
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- シングル イベント タイセイ オ コウジョウ シタ パワー MOSFET ノ カイハツ ケントウ
- A study of space use power MOSFETs with high Single-Event-Burnout (SEB) hardness
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Notes
作成元: 富士電機
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1130282272269945856
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- NII Book ID
- BA68888863
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- Text Lang
- ja
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- Country Code
- ja
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- Title Language Code
- ja
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- Place of Publication
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- 東京
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- Data Source
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- CiNii Books