省電力LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の薄膜スケーリング手法の構築
CiNii
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Bibliographic Information
- Title
- "省電力LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の薄膜スケーリング手法の構築"
- Statement of Responsibility
- 研究代表者 中島寛
- Publisher
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- [九州大学]
- Publication Year
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- 2008.5
- Book size
- 30cm
- Other Title
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- ショウデンリョク LSIヨウ コウユウデンリツ ゲート ゼツエンマク ノ ハクマク スケーリング シュホウ ノ コウチク
- 平成18年度～平成19年度科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書
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Notes
研究課題番号: 18360152
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1130282272987263232
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- NII Book ID
- BA86309094
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- Country Code
- ja
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- Title Language Code
- ja
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- Place of Publication
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- [福岡]
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- Data Source
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- CiNii Books