Ferroelectric-gate field effect transistor memories : device physics and applications
CiNii
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書誌事項
- タイトル
- "Ferroelectric-gate field effect transistor memories : device physics and applications"
- 責任表示
- Byung-Eun Park ... [et al.], editors
- 出版者
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- Springer
- 2nd ed
- 出版年月
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- c2020
- 書籍サイズ
- 25 cm
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注記
Includes bibliographical references
Other editors: Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai, Sun-Min Yoon
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1130285377404996608
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- NII書誌ID
- BB31411226
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- ISBN
- 9789811512117
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- 本文言語コード
- en
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- 出版国コード
- si
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- タイトル言語コード
- en
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- 出版地
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- Singapore
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- データソース種別
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- CiNii Books
