Coplanar semiconductor–metal circuitry defined on few-layer MoTe2 via polymorphic heteroepitaxy

詳細情報 詳細情報について

• CRID

  1360011144850813568

• DOI

  10.1038/nnano.2017.161

• ISSN

  17483395

  17483387

• Web Site

  http://www.nature.com/articles/nnano.2017.161.pdf

  http://www.nature.com/articles/nnano.2017.161

  http://www.nature.com/doifinder/10.1038/nnano.2017.161

• データソース種別

  • Crossref