Über eine Reihe saurer Verbindungen HX<sup>V</sup>P<sub>2</sub>O<sub>8</sub> und H<sub>2</sub>X<sup>IV</sup>P<sub>2</sub>O<sub>8</sub> mit Schichtstruktur, X<sup>V</sup>  As und Sb; X<sup>IV</sup>  Si, Ge, Sn, Pb, Ti und Zr

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<jats:title>Abstract</jats:title><jats:p>Es wird die Verbindung HAsP<jats:sub>2</jats:sub>O<jats:sub>8</jats:sub> hergestellt und aus ihren Eigenschaften geschlossen, daß es sich um eine Verbindung mit Schichtstruktur handelt, in der die Protonen zwischen AsP<jats:sub>2</jats:sub>O<jats:sub>8</jats:sub>‐Schichten liegen und durch Kationen ersetzbar sind.</jats:p><jats:p>Im zweiten Teil wird gezeigt, daß die Verbindung HSbP<jats:sub>2</jats:sub>O<jats:sub>8</jats:sub> mit HAsP<jats:sub>2</jats:sub>O<jats:sub>8</jats:sub> isomorph ist und daß sich außerdem eine ganze Reihe von Verbindungen H<jats:sub>2</jats:sub>X<jats:sup>IV</jats:sup>P<jats:sub>2</jats:sub>O<jats:sub>8</jats:sub> mit X<jats:sup>IV</jats:sup> = Si, Ge, Sn, Pb, Ti und Zr herstellen läßt, die analog gebaute Schichtstrukturen bilden und ebenfalls Ionenaustauschereigenschaften haben.</jats:p>

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