Fabrication of GaAs solar cells grown with InGaP layers by hydride vapor-phase epitaxy
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収録刊行物
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- Japanese Journal of Applied Physics
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Japanese Journal of Applied Physics 57 (8S3), 08RD06-, 2018-07-05
IOP Publishing
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1360566399845268736
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- NII論文ID
- 210000149531
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- ISSN
- 13474065
- 00214922
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- データソース種別
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- Crossref
- CiNii Articles