Planar Nearly Ideal Edge-Termination Technique for GaN Devices

DOI PDF 被引用文献20件

この論文をさがす

収録刊行物

  • IEEE Electron Device Letters

    IEEE Electron Device Letters 32 (3), 300-302, 2011-03

    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

被引用文献 (20)*注記

もっと見る

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ