Time-Dependent Dielectric Breakdown of 4H-SiC/$ \hbox{SiO}_{2}$ MOS Capacitors

詳細情報 詳細情報について

• CRID

  1360574095098662144

• DOI

  10.1109/tdmr.2008.2001182

• ISSN

  15304388

• Web Site

  http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/7298/4700823/04700828.pdf?arnumber=4700828

• データソース種別

  • Crossref