Long-retention ferroelectric-gate FET with a (HfO/sub 2/)/sub x/(Al/sub 2/O/sub 3/)/sub 1-x buffer-insulating layer for 1T FeRAM

詳細情報 詳細情報について

• CRID

  1360855568602496384

• DOI

  10.1109/iedm.2004.1419331

• Web Site

  http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/9719/30682/01419331.pdf?arnumber=1419331

• データソース種別

  • Crossref