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- E. Monroy
- Equipe mixte CEA-CNRS-UJF Nanophysique et Semiconducteurs, Dépt. de Recherche Fondamentale sur la Matière Condensée, SP2M/PSC, CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054-Grenoble cedex 9, France
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- E. Sarigiannidou
- Equipe mixte CEA-CNRS-UJF Nanophysique et Semiconducteurs, Dépt. de Recherche Fondamentale sur la Matière Condensée, SP2M/PSC, CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054-Grenoble cedex 9, France
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- F. Fossard
- Equipe mixte CEA-CNRS-UJF Nanophysique et Semiconducteurs, Dépt. de Recherche Fondamentale sur la Matière Condensée, SP2M/PSC, CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054-Grenoble cedex 9, France
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- N. Gogneau
- Equipe mixte CEA-CNRS-UJF Nanophysique et Semiconducteurs, Dépt. de Recherche Fondamentale sur la Matière Condensée, SP2M/PSC, CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054-Grenoble cedex 9, France
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- E. Bellet-Amalric
- Equipe mixte CEA-CNRS-UJF Nanophysique et Semiconducteurs, Dépt. de Recherche Fondamentale sur la Matière Condensée, SP2M/PSC, CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054-Grenoble cedex 9, France
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- J.-L. Rouvière
- Equipe mixte CEA-CNRS-UJF Nanophysique et Semiconducteurs, Dépt. de Recherche Fondamentale sur la Matière Condensée, SP2M/PSC, CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054-Grenoble cedex 9, France
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- S. Monnoye
- Novasic, Savoie Technolac, l’Arche No. 4, 73375 Le Bourget du Lac, France
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- H. Mank
- Novasic, Savoie Technolac, l’Arche No. 4, 73375 Le Bourget du Lac, France
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- B. Daudin
- Equipe mixte CEA-CNRS-UJF Nanophysique et Semiconducteurs, Dépt. de Recherche Fondamentale sur la Matière Condensée, SP2M/PSC, CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054-Grenoble cedex 9, France
書誌事項
- 公開日
- 2004-05-03
- DOI
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- 10.1063/1.1739511
- 公開者
- AIP Publishing
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説明
<jats:p>We have studied the surface kinetics of N-face GaN during molecular-beam epitaxial growth by investigating the Ga wetting and the surface morphology. In the case of N-face GaN, it is not possible to establish the self-regulated Ga bilayer that is used as a surfactant for molecular-beam-epitaxy growth of Ga-face GaN. Indeed, to prevent the accumulation of Ga droplets, growth of the N-face GaN must be performed with less than one monolayer of excess Ga on the growing surface. Optimum surface morphology is achieved when growth is performed at the Ga accumulation limit.</jats:p>
収録刊行物
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- Applied Physics Letters
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Applied Physics Letters 84 (18), 3684-3686, 2004-05-03
AIP Publishing