p-channel modulation-doped field-effect transistors based on AlSb/sub 0.9/As/sub 0.1//GaSb

DOI PDF 被引用文献2件

書誌事項

公開日
1990-12
権利情報
  • https://ieeexplore.ieee.org/Xplorehelp/downloads/license-information/IEEE.html
DOI
  • 10.1109/55.63042
公開者
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

この論文をさがす

収録刊行物

  • IEEE Electron Device Letters

    IEEE Electron Device Letters 11 (12), 567-569, 1990-12

    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

被引用文献 (2)*注記

もっと見る

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ