12.7kV ultra high voltage SiC commutated gate turn-off thyristor: SICGT

DOI PDF 被引用文献2件

収録刊行物

Proceedings of the 16th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's

Proceedings of the 16th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's 365-368, 2004

IEEE

被引用文献 (2)*注記

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CRID

1361418520690024960
DOI

10.1109/wct.2004.240155
Web Site

http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/9265/29429/01332946.pdf?arnumber=1332946
データソース種別
- Crossref

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