Modeling and experimental verification of deposition behavior during AlGaAs growth: a comparison for the carrier gases N2 and H2
書誌事項
- 公開日
- 2001-02
- 権利情報
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- https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/
- DOI
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- 10.1016/s0022-0248(00)00970-2
- 公開者
- Elsevier BV
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収録刊行物
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- Journal of Crystal Growth
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Journal of Crystal Growth 223 (1-2), 21-28, 2001-02
Elsevier BV
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1361699994335275904
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- NII論文ID
- 80012384832
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- ISSN
- 00220248
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- データソース種別
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- Crossref
- CiNii Articles