High breakdown voltage C-doped GaN-on-sapphire HFETs with a low specific on-resistance

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書誌事項

公開日
2007-03-30
DOI
  • 10.1088/0268-1242/22/5/010
公開者
IOP Publishing

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  • CRID
    1361699995231885696
  • DOI
    10.1088/0268-1242/22/5/010
  • ISSN
    13616641
    02681242
    https://id.crossref.org/issn/02681242
  • データソース種別
    • Crossref

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