Gate oxide reliability assessment of a SiC MOSFET for high temperature aeronautic applications
書誌事項
- 公開日
- 2013-06
- DOI
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- 10.1109/ecce-asia.2013.6579125
- 公開者
- IEEE
収録刊行物
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- 2013 IEEE ECCE Asia Downunder
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2013 IEEE ECCE Asia Downunder 385-391, 2013-06
IEEE
