Electron-energy-loss characterization of the H-terminated Si(111) and Si(100) surfaces obtained by etching in NH4F

書誌事項

公開日
1991-07
権利情報
  • https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/
  • https://www.elsevier.com/legal/tdmrep-license
DOI
  • 10.1016/0009-2614(91)80309-l
公開者
Elsevier BV

この論文をさがす

収録刊行物

被引用文献 (5)*注記

もっと見る

問題の指摘

ページトップへ