Boron diffusion in strained<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Si</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>1</mml:mn><mml:mi mathvariant="normal">−</mml:mi><mml:mi mathvariant="italic">x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Ge</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mi mathvariant="italic">x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>epitaxial layers

詳細情報 詳細情報について

• CRID

  1362825894017197696

• DOI

  10.1103/physrevlett.71.883

• ISSN

  00319007

• Web Site

  http://link.aps.org/article/10.1103/PhysRevLett.71.883

  http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevLett.71.883/fulltext

• データソース種別

  • Crossref