Monte-Carlo simulation of submicrometer Si n-MOSFETs at 77 and 300 K

書誌事項

公開日
1988-09
権利情報
  • https://ieeexplore.ieee.org/Xplorehelp/downloads/license-information/IEEE.html
DOI
  • 10.1109/55.6947
公開者
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

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収録刊行物

  • IEEE Electron Device Letters

    IEEE Electron Device Letters 9 (9), 467-469, 1988-09

    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

被引用文献 (2)*注記

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