A conductivity-based selective etching for next generation GaN devices
書誌事項
- 公開日
- 2010-06-23
- 権利情報
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- http://doi.wiley.com/10.1002/tdm_license_1.1
- DOI
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- 10.1002/pssb.200983650
- 公開者
- Wiley
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収録刊行物
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- physica status solidi (b)
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physica status solidi (b) 247 (7), 1713-1716, 2010-06-23
Wiley