Laser-induced forward transfer of high-<i>T</i> <i>c</i> YBaCuO and BiSrCaCuO superconducting thin films

DOI PDF 被引用文献3件
  • E. Fogarassy
    Centre de Recherches Nucléaires IN2P3, Laboratoire de Physique et Applications des Semiconductors, ER du CNRS no 292, 23 rue du Loess, F-67037 Strasbourg Cedex, France
  • C. Fuchs
    Centre de Recherches Nucléaires IN2P3, Laboratoire de Physique et Applications des Semiconductors, ER du CNRS no 292, 23 rue du Loess, F-67037 Strasbourg Cedex, France
  • F. Kerherve
    Groupe de Physique des Solides de l’ENS, F-75251 Paris Cedex 05, France
  • G. Hauchecorne
    Groupe de Physique des Solides de l’ENS, F-75251 Paris Cedex 05, France
  • J. Perriere
    Groupe de Physique des Solides de l’ENS, F-75251 Paris Cedex 05, France

書誌事項

公開日
1989-07-01
DOI
  • 10.1063/1.344470
公開者
AIP Publishing

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説明

<jats:p>For the first time, the deposition of YBaCuO and BiSrCaCuO thin films has been performed by the single-laser pulse-induced forward transfer technique. In addition, the BiSrCaCuO films were successfully converted into the superconducting phase, with an onset critical temperature of about 90 K and a zero resistance at 80 K, by a subsequent thermal anneal in oxygen atmosphere in the 850–900 °C temperature range.</jats:p>

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