Hall-effect characterization of III–V nitride semiconductors for high efficiency light emitting diodes
書誌事項
- 公開日
- 1999-05
- 権利情報
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- https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/
- DOI
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- 10.1016/s0921-5107(98)00393-6
- 公開者
- Elsevier BV
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収録刊行物
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- Materials Science and Engineering: B
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Materials Science and Engineering: B 59 (1-3), 211-217, 1999-05
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