書誌事項
- タイトル別名
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- Comparative Study of MBE Growth on Si(001) and GaAs(001) by Monte Carlo Simulation.
- モンテカルロ シミュレーション ニ ヨル Si 100 GaAs 100 ジョウ ノ ブンシセン エピタクシャル セイチョウ ノ ヒカク
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抄録
The growth on GaAs (100) is studied by Monte Carlo simulation in comparison with the growth on Si (100). The step density variations during the growth and their temperature dependence show good agreement with the reported experimental RHEED intensity oscillations. This result and the corresponding surface morphology show that As plays a dominant role during the growth.
収録刊行物
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- 真空
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真空 42 (3), 147-150, 1999
一般社団法人 日本真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204063653632
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- NII論文ID
- 10002476176
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- NII書誌ID
- AN00119871
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- ISSN
- 18809413
- 05598516
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- NDL書誌ID
- 4714078
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可