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- 久保 理
- 大阪大学工学部電子工学科
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- 柳 正鐸
- 大阪大学工学部電子工学科 日本学術振興会特別研究員
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- 谷 仁
- 大阪大学工学部電子工学科
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- 原田 徹
- 大阪大学工学部電子工学科
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- 布瀬 暁志
- 大阪大学工学部電子工学科 日本学術振興会特別研究員
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- 藤野 俊明
- 大阪大学工学部電子工学科
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- SARANIN Alexander A.
- Institute of Automation and Control Processes
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- ZOTOV Andrey V.
- Institute of Automation and Control Processes
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- 片山 光浩
- 大阪大学工学部電子工学科
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- 尾浦 憲治郎
- 大阪大学工学部電子工学科
書誌事項
- タイトル別名
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- Structural Change Process of Si(100)4*3-In Surface Phase Induced by Atomic Hydrogen Interaction.
- ゲンシジョウ スイソ ガ ユウキ スル Si 100 4 3 In ヒョウメン ノ コウゾウ ヘンカ カテイ
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抄録
We have investigated the structural change process induced by atomic hydrogen interaction with the 4 × 3 surface phase in the In/Si (100) system using scanning tunneling microscopy (STM) and coaxial impact collision ion scattering spectroscopy (CAICISS).<BR>It has been revealed that when the 4 × 3-In surface is exposed to atomic hydrogen, small and uniform In clusters, the size of which grows with increasing substrate temperature during hydrogen exposure, are formed on the Si surface. These clusters are not epitaxially grown crystallites but amorphous or poly-crystalline in contrast with those of H/ Si (111) √3×√3-Ag, -Al or-Pb surfaces. The initial stage of structural change process is also different from H/ Si (111) √3×√3-Ag or H/Si (111) 4 × 1-In surfaces but similar to H/Si (111) √3×√3-In surface.<BR>The In-denuded regions show not 1 × 1 but 4 × 1 periodicity. From this result, we have confirmed that the underlying atomic layer of a silicon substrate in the Si (100) 4 × 3-In surface phase is reconstructed with a 4 × 1 periodicity and proposed a model of 4 × 3-In structure.
収録刊行物
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- 真空
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真空 42 (3), 212-216, 1999
一般社団法人 日本真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204063711744
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- NII論文ID
- 10002476288
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- NII書誌ID
- AN00119871
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- ISSN
- 18809413
- 05598516
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- NDL書誌ID
- 4714583
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可