Passivation of Si single-crystal surface by hydrogen termination.

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  • 水素終端によるＳｉ単結晶表面の不活性化
  • スイソ シュウタン ニ ヨル Si タンケッショウ ヒョウメン ノ フカッセイ

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Abstract

記事分類: 電気工学--電気材料・部品

Journal

  • Shinku

    Shinku 33 (11), 854-860, 1990

    The Vacuum Society of Japan

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