書誌事項
- タイトル別名
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- Improved Molecular Beam Epitaxial Growth of the (100) CdTe Films on GaAs Substrates.
- 100 GaAs キバン ジョウ ニ ブンシセン エピタキシャル セイチョウ シタ CdTe ハクマク ノ ケッショウセイ カイゼン
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抄録
This paper describes structural and optical properties of the (100) CdTe films grown on (100) GaAs substrates by molecular beam epitaxy. The (100) CdTe films directly grown on GaAs contained many defects due to the large lattice mismatch between CdTe and GaAs. Photoluminescence (PL) and x-ray diffraction measurements revealed that the poor crystallographic quality of the CdTe films can be improved by inserting a MnTe buffer layer on a sulfur-treated GaAs substrate. It is also demonstrated that the use of a MnTe/CdTe superlattice as the buffer layer is more effective to reduce the defect-related emissions in PL spectra.
収録刊行物
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- 真空
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真空 42 (3), 376-379, 1999
一般社団法人 日本真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204065389568
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- NII論文ID
- 10002476627
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- NII書誌ID
- AN00119871
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- ISSN
- 18809413
- 05598516
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- NDL書誌ID
- 4716430
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
