シリコン酸窒化膜の安定性と電子構造に関する理論研究の現状

DOI Web Site Web Site 参考文献67件
  • 土井 謙太郎
    京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
  • 吉田 聖一
    京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
  • 上原 寛貴
    京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
  • 阪本 俊夫
    京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
  • 立花 明知
    京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Present Progress on Theoretical Studies of Stability and Electronic Structures of Silicon Oxynitride Thin Film
  • シリコンサン チッカマク ノ アンテイセイ ト デンシ コウゾウ ニ カンスル リロン ケンキュウ ノ ゲンジョウ

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抄録

  Recent progress of complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology is remarkable and a lot of hot issues for science and technology have been published. Scaling down of the electronic devices is essential for their development but decreases their reliability. In such a small device, a dielectric thin film such as silicon dioxide is required to be the thickness of about 1 nm, and dielectric breakdown caused by leakage current is one of the serious problems. On the other hand, several methods are known to improve quality of the gate insulators. For example, nitridation of silicon dioxide is effective to suppress the leakage current and boron penetration, and employing high-k dielectrics is another way to decrease equivalent oxide thickness (EOT). In this article, nitridation process and dielectric properties of oxynitride thin film are especially focused on and reviewed by treating some important theoretical and experimental reports.<br>

収録刊行物

  • 真空

    真空 50 (11), 647-651, 2007

    一般社団法人 日本真空学会

参考文献 (67)*注記

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