書誌事項
- タイトル別名
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- High Charging Potential and Sensitivity in a-Si:H Photoreceptor
- a-Si H カンコウタイ ノ コウ タイデンノウ ト コウ カンドカ
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抄録
感光体の光導電層の厚膜化を図ることにより，高帯電能（1090 V at O.27 μC/cm2）および高い光感度（1/E50＝10 cm2/μJ at 700 nm）のa-Si:H感光体を作製した．光導電層上部に低速（2.5 μm/h）で成膜したキャリア生成層を堆積することにより，500から650 nmの波長領域における残留電位を大幅に改善した．キャリア生成層に用いたa-Si:Hは他の光導電層に用いたa-Si:Hに比べ水素含有量，SiH2結合量が少なく，光学的バンドキャップが狭い、また，ESR信号や光導電流の減衰特性から欠陥密度も少ない．
収録刊行物
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- 電子写真学会誌
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電子写真学会誌 32 (1), 13-17, 1993
一般社団法人 日本画像学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204097146624
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- NII論文ID
- 130004484614
- 40004298171
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- NII書誌ID
- AN00261409
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- ISSN
- 18805108
- 0387916X
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- NDL書誌ID
- 3827605
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可