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- YAMAZAKI Toshinori
- コニカ株式会社 情報機器事業本部 第一開発センター
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- NAKANISHI Tatsuo
- コニカ株式会社 情報機器事業本部 第一開発センター
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- NOMORI Hiroyuki
- コニカ株式会社 情報機器事業本部 第一開発センター
書誌事項
- タイトル別名
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- FABRICATlON OF AMORPHOUS-SILICON ALLOYS
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説明
水素化アモルファスシリコン合金膜(a-SiX:H)を作製するアルゴン(Ar)をキャリアガスとしたシラン(SiH4)およびガス(M)のSiH4-M-Arグロー放電プラズマ中でのSiH4ガスおよびガスMの分解効率ηを質量分析法で測定した.ここで,ガスMはジシラン(Si2H6),四弗化珪素(SiF4),ゲルマン(GeH4),プロパン(C3H8),エタン(C2H6),エチレン(C2H4),アセチレン(C2H2),メタン(CH4),四弗化炭素(CF4),アンモニア(NH3),又は,二酸化炭素(CO2)である.分解効率ηMおよびηSiH4、より求めたガスMの解離反応の速度定数のSiH、ガスに対する相対値Kd,M/Kd,SiH4はガスMの最低熱力学的解離エネルギーΔHを使って式Kd,M ∝ exp(-ΔH/1.10) によって関係付けられた.さらに,ガスMから生成するラジカル種Rのa-SiX:H合金膜への結合確率のSiH4から生成するSiHn(n=0~3)ラジカルに対する相対値γR/γSiHnをa-SiX:H中の膜組成[X]および[Si]とプラズマ中のガス分解効率ηMおよびηSiH4より推定した.ここで,a-SiX:Hは水素化アモルファス・シリコンゲルマニユウム(a-SiGe:H),水素化アモルファス・窒化シリコン(a-SiN:H),水素化アモルファス・炭化シリコン(a-SiC:H),又は水素化アモルファス・酸化シリコン(a-SiO:H)である.Kd,M/Kd,SiH4における違いが100倍もあったのに対して,ラジカル反応におけるγR/γSiHnの違いは高々3倍であった.
収録刊行物
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- 電子写真学会誌
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電子写真学会誌 32 (3), 242-252, 1993
一般社団法人 日本画像学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204098302592
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- NII論文ID
- 130004484625
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- NII書誌ID
- AN00261409
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- ISSN
- 18805108
- 0387916X
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- NDL書誌ID
- 3840852
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- 本文言語コード
- en
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可