Fabrication of Amorphous-silicon Alloys

DOI Web Site

書誌事項

タイトル別名
  • FABRICATlON OF AMORPHOUS-SILICON ALLOYS

この論文をさがす

抄録

水素化アモルファスシリコン合金膜（a-SiX:H）を作製するアルゴン（Ar）をキャリアガスとしたシラン（SiH4）およびガス（M）のSiH4-M-Arグロー放電プラズマ中でのSiH4ガスおよびガスMの分解効率ηを質量分析法で測定した．ここで，ガスMはジシラン（Si2H6），四弗化珪素（SiF4），ゲルマン（GeH4），プロパン（C3H8），エタン（C2H6），エチレン（C2H4），アセチレン（C2H2），メタン（CH4），四弗化炭素（CF4），アンモニア（NH3），又は，二酸化炭素（CO2）である．分解効率ηMおよびηSiH4、より求めたガスMの解離反応の速度定数のSiH、ガスに対する相対値Kd,M/Kd,SiH4はガスMの最低熱力学的解離エネルギーΔHを使って式Kd,M ∝ exp(-ΔH/1.10) によって関係付けられた．さらに，ガスMから生成するラジカル種Rのa-SiX:H合金膜への結合確率のSiH4から生成するSiHn（n=0～3）ラジカルに対する相対値γR/γSiHnをa-SiX:H中の膜組成［X］および［Si］とプラズマ中のガス分解効率ηMおよびηSiH4より推定した．ここで，a-SiX:Hは水素化アモルファス・シリコンゲルマニユウム（a-SiGe:H），水素化アモルファス・窒化シリコン（a-SiN:H），水素化アモルファス・炭化シリコン（a-SiC:H），又は水素化アモルファス・酸化シリコン（a-SiO:H）である．Kd,M/Kd,SiH4における違いが100倍もあったのに対して，ラジカル反応におけるγR/γSiHnの違いは高々3倍であった．

収録刊行物

  • 電子写真学会誌

    電子写真学会誌 32 (3), 242-252, 1993

    一般社団法人 日本画像学会

キーワード

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ