SiF<SUB>4</SUB>プラズマの分析

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  • Analyses of a SiF<SUB>4</SUB> Plasma
  • SiF4プラズマの分析
  • SiF4プラズマ ノ ブンセキ

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説明

フッ素化無定形シリコン(a-Si:F:H)膜の製膜技術向上を目的として,高周波(13.56MHz)放電SiF4プラズマの分析を行なった。プラズマ中の反応種の測定に発光分光分析法および質量分析法を用い,これによってSiF4ガス分子の基本的な四つの分解反応が確認された。また,ダブルプローブ法によるプラズマ中の電子の平均エネルギーの測定や質量分析結果から,著者らの使用した条件においては弱電離プラズマであることがわかり,プラズマ中では中性種が支配的であり製膜に重要な役割を果たすと考えられた。<BR>プラズマ中では,SiF4分子の分解反応のほかにさまざまな二次的な反応が発生していると思われるが,その中でも比較的重要と思われる反応について,発光分光分析および質量分析によって検討を行なった。100%,SiF4プラズマでは,分解反応によって生成されたフッ素ラジカルが活性であるため製膜は起こらない。しかし,このフッ素ラジカルの発生はごく少量のH2ガスの添加によってほぼ完全に搾えられることが発光分光分析によって確められた。また,SiF4分子の分解反応がH2の添加によって促進されることも確認された。

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