ポリスチレンスルホン酸による微量金属イオンのウェーハ付着抑制

DOI Web Site 参考文献8件

書誌事項

タイトル別名
  • Adhesion Inhibition of a Trace Metal onto Wafers Using Polystyrene Sulfonate

抄録

<p>半導体製造における各工程の洗浄には超純水が用いられる。近年, 半導体の回路線幅の微細化, 高集積化に伴い, 洗浄用超純水中の不純物が及ぼす悪影響は益々大きくなり, 超純水水質はさらなる高純度化が求められている。我々はポリスチレンスルホン酸（以下PSA）と金属イオンの吸着作用に着目し, これを利用したシリコンウェーハ上への金属付着抑制を検討した。金属を含む超純水にPSAを微量注入して超純水を洗浄槽にオーバーフローさせ, ウェーハを浸漬, 乾燥後, ウェーハ上の金属および硫黄濃度を測定した。その結果, 超純水中の金属イオンはPSAとイオン結合しウェーハ上へ吸着しにくくなり, 二価以上のイオンとなる金属で95％以上の金属付着抑制率が得られた。さらにPSA自体のウェーハへの付着は無視できる範囲であることが分かった。本技術は, 半導体製造における各洗浄工程の金属汚染抑制方法として適用できる可能性がある。 </p>

収録刊行物

参考文献 (8)*注記

もっと見る

キーワード

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ