Electromigration Phenomenon of Copper Interconnects on Semiconductor Device
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- HAYASHI Masashi
- 松下電器産業株式会社
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- NAKANO Shinji
- 松下電器産業株式会社
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- WADA Tetsuaki
- 松下電器産業株式会社
Bibliographic Information
- Other Title
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- Cu配線のエレクトロマイグレーション現象
- Cu ハイセン ノ エレクトロマイグレーション ゲンショウ
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Description
エレクトロマイグレーションは,金属配線に高密度の電流を長時間流すことによって生じる配線金属の原子移動現象である.従来より適用されてきたAI配線では,この現象に関する研究が長年なされている.しかし,配線遅延低減,エレクトロマイグレーション信頼性向上のため,近年,各社で開発が進められているCu配線のエレクトロマイグレーション現象については、故障メカニズムを含め,現状,十分究明されていない.ここでは,Cu配線のエレクトロマイグレーション現象について,試験条件設定において注意が必要な加速限界と,材料,プロセス条件等の検討結果について,AI配線との比較も交えながら,報告する.
Journal
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- The Journal of Reliability Engineering Association of Japan
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The Journal of Reliability Engineering Association of Japan 25 (2), 110-120, 2003
Reliability Engineering Association of Japan
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204453294848
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- NII Article ID
- 110003994406
- 10031114056
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- NII Book ID
- AN10540883
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- ISSN
- 24242543
- 09192697
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- NDL BIB ID
- 6534650
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed