先端LSIにおける配線技術と信頼性(先端LSI技術と信頼性)

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タイトル別名
  • Interconnect Technology and Reliability of Advanced LSI(Advanced LSI Technology and its Reliability)
  • 先端LSIにおける配線技術と信頼性
  • センタン LSI ニ オケル ハイセン ギジュツ ト シンライセイ

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抄録

LSIの微細化の進展により,配線寸法の縮小と多層化も進行している.今日の先端ロジックLSIでは,最小線幅,最小間隔共に100nm以下の銅(Cu)配線が用いられている.その寸法の縮小はLSI駆動に伴う電流密度を増加させ,エレクトロマイグレーション寿命を低下させる傾向にある.また,ストレス誘起ボイド(ストレスマイグレーション)が,長期信頼性のみでなく,初期故障確率へ与える影響も顕在化している. LSIの高駆動を目的として,配線間容量低減を図って採用した低誘電率絶縁膜(Low-k膜)は,配線間の経時絶縁破壊を加速する傾向にある.これらの配線信頼性危機に対して,新たなプロセス技術が提案・研究されている.本稿は,現在のLSI配線が直面している信頼性危機とプロセス技術対策を概括し,その比較検討と将来像について示す.

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