XPS分析のためのAr-GCIBによる表面クリーニング条件の検討

三井所 亜子, 稲葉 雅之

doi:10.1384/jsa.24.47

書誌事項

タイトル別名

Study of Surface Cleaning Conditions by the Ar-GCIB for XPS Analysis
XPS ブンセキノタメノ Ar-GCIB ニヨルヒョウメンクリーニングジョウケンノケントウ

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説明

アルゴンガスクラスターイオンビーム(Argon Gas Cluster Ion Beam ; Ar-GCIB）によるスパッタは１原子あたりのエネルギーが小さいことや特定の条件下で表面を平滑にする効果（ラテラルスパッタ効果）などの従来の単原子Arイオンビームにないエッチング特性を有している．それゆえ，近年ではAr-GCIBとX線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy ; XPS）を組み合わせた有機物の深さ方向分析に使われるようになった．我々はこれらの特性に着目し，Ar-GCIBが無機材料の表面クリーニングに使えるのではないかと考え，照射条件の検討を行った．条件検討に際してSi基板表面に存在する自然酸化膜がエッチングされないことを指標とした．その結果，Ar-GCIBの入射角はエッチングレートや表面粗さ，基板ダメージに大きく影響することがわかった．今回の検討においてはAr₁₀₀₀⁺では入射角を85°，Ar₂₀₀₀⁺では入射角を80° とした際，これらの影響を抑えた表面クリーニングが可能であるという知見が得られた．

収録刊行物

Journal of Surface Analysis

Journal of Surface Analysis 24 (1), 47-55, 2017

一般社団法人　表面分析研究会

詳細情報詳細情報について

CRID: 1390001204473099008

NII論文ID: 130006415529

NII書誌ID: AA11448771

DOI: 10.1384/jsa.24.47

ISSN: 13478400; 13411756

NDL書誌ID: 028652011

Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/028652011; https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I028652011; https://www.jstage.jst.go.jp/article/jsa/24/1/24_47/_pdf

本文言語コード: ja

データソース種別

JaLC
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CiNii Articles

抄録ライセンスフラグ: 使用不可

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