数nm膜厚のNiFeおよびCoZrNb薄膜の誘導磁気異方性

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タイトル別名
  • Induced uniaxial magnetic anisotropy in thin permalloy and CoZrNb films
  • スウ nm マクアツ ノ NiFe オヨビ CoZrNb ハクマク ノ ユウドウ ジキ イホウセイ

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抄録

77-81at%Ni組成範囲のパーマロイ薄膜, ならびにCoZrNbアモルファス薄膜の誘導磁気異方性について検討した.いずれの薄膜でも異方性磁界H_kの大きさは20nm以下の膜厚の減少にともなって低下し, 膜厚3nmのH_kは20nmにおけるH_kの半分程度であった.このようなH_kの膜厚依存性は77Kの測定温度でも同様に観察された。一方, 製膜直後の試料の磁化困難軸方向に直流磁界を印加しながら熱処理を行った結果, 膜厚5nm以下のNi_<79>Fe_<21>膜では160℃の比較的低い熱処理温度でも磁化容易軸が磁界印加方向に変化した。これは膜の表面近傍における原子の再配列が速いことに起因するためであると考えられる。

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参考文献 (11)*注記

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