Metalorganic vapor-phase ePitaxy of HgCdTe
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- YASUDA Kazuhito
- Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology
Bibliographic Information
- Other Title
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- Hg Cd Teの有機金属気相成長
- HgCdTe ノ ユウキ キンゾク キソウ セイチョウ
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Abstract
有機金属気相成長法によるHgCdTeの成長についてその成長特性を概説する.この材料の成長には原料として有機カドミウム,有機テルル,金属水銀が用いられている.しかしながら金属水銀を原料として使用するため成長装置はIII-V族半導体の成長装置とは異なった構成になるとともに,HgCdTeの成長特性もIII-V族半導体の場合には生じないような特異な性質;を示すようになる.ここではHgOdTe成長原料,成長特性,成長装置について問題点およびその改良の方法について述べる.
Journal
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- Oyo Buturi
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Oyo Buturi 64 (2), 141-144, 1995
The Japan Society of Applied Physics
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204595303424
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- NII Article ID
- 130003430787
- 10004321399
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- NII Book ID
- AN00026679
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- COI
- 1:CAS:528:DyaK2MXksF2is7s%3D
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL BIB ID
- 3595157
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- Data Source
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed