二次高調波を用いた化合物半導体の表面の評価

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タイトル別名
  • Characterization of compound semiconductor surfaces by second-harmonic generation

説明

レーザー光を用いた表面反射第二高調波発生法(表面反射SHG法)を反転対称性を示さない化合物半導体 (GaAs) 表面の評価に応用した.反転対称性(対称中心)のない結晶ではバルク自体が第二高調波を発生するため,表面の評価に SHG を使うことは困難とされてきた.われわれは強いバルクの寄与から表面の寄与を分離する方法を考案し,表面再構成の違いによる SHG の変化,水素原子による表面酸化膜除去過程,エピタキシャル成長時の SHG 変化を観測した.

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 63 (12), 1256-1260, 1994

    公益社団法人 応用物理学会

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001204595413248
  • NII論文ID
    130003593261
  • DOI
    10.11470/oubutsu1932.63.1256
  • COI
    1:CAS:528:DyaK2MXivFemu7Y%3D
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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