自己組織化InGaAsひずみ量子ディスクレーザー

DOI Web Site 被引用文献1件 参考文献17件
  • 天明 二郎
    日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
  • 倉持 栄一
    日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
  • 須郷 満
    日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
  • 西谷 昭彦
    日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
  • Nötzel Richard
    Nippon Telegraph and Telephone Corporation. NTT Opto-electronics Laboratories Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz
  • 玉村 敏昭
    日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所

書誌事項

タイトル別名
  • Self-organized InGaAs quantum disk lasers
  • ジコ ソシキカ InGaAs ヒズミ リョウシ ディスク レーザー

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抄録

GaAs (311) B基板上で,有機金属気相成長法を用いてひずみInGaAS薄膜を成長し,高温で適切な成長中断を行うとオーダリングを伴いながらInGaAsが再配列し, InGaAsを内蔵するナノクリスタル(極微細閉じ込め構造:量子ディスク)アレーが基板表面に自然に形成される自己組織化現象を発克した.ひずみ量子ディスクは,そのラテラルサイズを150～30nmレンジで制御でき,室温で極めて良好な光学的性質を示す特長がある.この自己組織化ひずみ量子ディスクを活性層とするリッジレーザーを製作し,室温で低しきい値動作に成功した.自己組織化現象がナノ構造形成法としてブレークスルーの一つになる可能性を示唆している.

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 65 (2), 163-167, 1996

    公益社団法人 応用物理学会

被引用文献 (1)*注記

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参考文献 (17)*注記

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