Self-organized InGaAs quantum disk lasers

DOI Web Site 1 Citations 17 References
  • TEMMYO Jiro
    Nippon Telegraph and Telephone Corporation. NTT Opto-electronics Laboratories
  • KURAMOCHI Eiichi
    Nippon Telegraph and Telephone Corporation. NTT Opto-electronics Laboratories
  • SUGO Mitsuru
    Nippon Telegraph and Telephone Corporation. NTT Opto-electronics Laboratories
  • NISHIYA Teruhiko
    Nippon Telegraph and Telephone Corporation. NTT Opto-electronics Laboratories
  • Nötzel Richard
    Nippon Telegraph and Telephone Corporation. NTT Opto-electronics Laboratories Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz
  • TAMAMURA Toshiaki
    Nippon Telegraph and Telephone Corporation. NTT Opto-electronics Laboratories

Bibliographic Information

Other Title
  • 自己組織化InGaAsひずみ量子ディスクレーザー
  • ジコ ソシキカ InGaAs ヒズミ リョウシ ディスク レーザー

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Abstract

GaAs (311) B基板上で,有機金属気相成長法を用いてひずみInGaAS薄膜を成長し,高温で適切な成長中断を行うとオーダリングを伴いながらInGaAsが再配列し, InGaAsを内蔵するナノクリスタル(極微細閉じ込め構造:量子ディスク)アレーが基板表面に自然に形成される自己組織化現象を発克した.ひずみ量子ディスクは,そのラテラルサイズを150～30nmレンジで制御でき,室温で極めて良好な光学的性質を示す特長がある.この自己組織化ひずみ量子ディスクを活性層とするリッジレーザーを製作し,室温で低しきい値動作に成功した.自己組織化現象がナノ構造形成法としてブレークスルーの一つになる可能性を示唆している.

Journal

  • Oyo Buturi

    Oyo Buturi 65 (2), 163-167, 1996

    The Japan Society of Applied Physics

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