書誌事項
- タイトル別名
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- Self-organized InGaAs quantum disk lasers
- ジコ ソシキカ InGaAs ヒズミ リョウシ ディスク レーザー
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抄録
GaAs (311) B基板上で,有機金属気相成長法を用いてひずみInGaAS薄膜を成長し,高温で適切な成長中断を行うとオーダリングを伴いながらInGaAsが再配列し, InGaAsを内蔵するナノクリスタル(極微細閉じ込め構造:量子ディスク)アレーが基板表面に自然に形成される自己組織化現象を発克した.ひずみ量子ディスクは,そのラテラルサイズを150~30nmレンジで制御でき,室温で極めて良好な光学的性質を示す特長がある.この自己組織化ひずみ量子ディスクを活性層とするリッジレーザーを製作し,室温で低しきい値動作に成功した.自己組織化現象がナノ構造形成法としてブレークスルーの一つになる可能性を示唆している.
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 65 (2), 163-167, 1996
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204595587840
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- NII論文ID
- 130003593541
- 10001757139
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- COI
- 1:CAS:528:DyaK28XhsV2gu7Y%3D
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 3924706
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可