Sentary: Selective Nucleation Based Epitaxy over Amorphous Substrates
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- YONEHARA Takao
- Canon Inc.
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- NISHIGAKI Yuji
- Canon Inc.
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- MIZUTANI Hidemasa
- Canon Inc.
Bibliographic Information
- Other Title
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- 非晶質基板上の選択核形成—Si層の粒界位置制御—
Abstract
非晶質基板上に堆積されたままの薄層の構造は,下地の長距離秩序の欠如のため,短距離秩序のみ保持された非晶質か,よくて微細な結晶粒が粒界を隔てて集合した多結晶となる,本研究は,新しい結晶成長法, seRtaxy (selective nucletion based epitaxy) に基づき,非晶質基板上で,核形成サイトの位置を人工的に制御して,粒界位置を指定しようというものである.すなわち,基板上の任意の位置で結晶核を発生させ,任意の大きさに結晶粒を成長させることが可能となる,本稿では,その基本的な考え方を説明し,Siにおける実際例を紹介する.
Journal
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- Oyo Buturi
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Oyo Buturi 57 (9), 1387-1392, 1988
The Japan Society of Applied Physics
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204595660800
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- NII Article ID
- 130003430522
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- COI
- 1:CAS:528:DyaL1MXosFOlsg%3D%3D
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed