Control of atomic-step arrangement on Si surfaces

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Other Title
  • シリコン表面の原子ステツプ配列制御—ナノ構造の集積化へ向けて—

Abstract

Si表面の原子ステップは,表面凹凸の最小単位であり,従来のLSI技術にあっては排除すべきものである.一方で,ステップは結晶成長や吸着の起点であり,その配列を制御できれば,ナノ構造形成とその集積化へ向けた新しい半導体技術が生まれる,本総合報告では,Si (111)面を中心に,ステップ再配列の物理的機構,リソグラフィーによるパターン形成を併用したウエハ一スケールでの制御,ステップの存在しない広いテラスの形成,ステップと表面再構成境界が存在する表面上での結晶成長中に現れる特有のステップパターン自己組織化,などを述べる.

Journal

  • Oyo Buturi

    Oyo Buturi 66 (12), 1289-1297, 1997

    The Japan Society of Applied Physics

Keywords

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390001204595858944
  • NII Article ID
    130003430848
  • DOI
    10.11470/oubutsu1932.66.1289
  • COI
    1:CAS:528:DyaK2sXnvVyit7k%3D
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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